0.8μm Flash Memory工艺技术研究.

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0.8μm Flash Memory工艺技术研究.

  • 适用:本科,大专,自考
  • 更新时间2021年
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0.8μm Flash Memory工艺技术研究.

0.8μm Flash Memory工艺技术研究

随着时代的发展,信息的存储越来越为人们所关注。其中,非挥发性存储器是一种成功的信息存储单元,它们具有一个基本的特点,即:在移去电源后,它们所存储的数据不会丢失。这一特点使它们在各个领域得到广泛的应用。
最早的非挥发性存储器是ROM,即只读存储器。由于ROM缺乏灵活性,不能由用户根据需求自主输入数据,因此应用范围很窄。随后出现了由用户编程的PROM,初期的PROM只能编程一次,一般是由可熔断的电阻和晶体管串联而构成PROM单元。因为编程常需要修改,因此开发了可擦的多次编程ROM,称为EPROM。这种ROM单元是采用两层栅的浮栅MOS结构,由漏区热电子获得足够的能量,越过势垒进入浮栅。EPROM的缺点是不能进行在线擦除,还要用紫外光照源及在管壳上留出光照窗口,在使用和制造方面均不方便。后来进一步开发出通过电子隧道效应进行擦,写的EEPROM ,免除了紫外光照之不便,可以进行在线电擦电写,但它的单元结构较复杂,面积较大,不易做成很高的集成容量。
随着工艺技术的进步,小尺寸的单管单元的EEPROM被研制成功。由于擦除时靠其源区加高压进行全片擦除,因此被称为快闪存储器(FLASH MEMORY)。它是EPROM和EEPROM相结合的产物,因而具有了两者的优点,又克服了它们的缺点。它具有集成度高,成本低,价格合理,可进行在线电擦除等优点,广泛应用在:(1)个人计算机方面;(2)办公系统方面;(3)计算机辅助设计方面;(4)数字式照相机;(5)手提式录音机;(6)IC卡等。因而成为各存储器厂商竞相追逐的目标,但由于其工艺复杂,至今只有国外的Intel,Toshiba,Seeq,TI等大公司有能力生产。我国自从90年代中期开始对其研究,由于生产技术落后,至今未有厂家可独立生产此芯片。其中华晶中央研究所经几年的艰苦努力,已取得很大进展,预计明年可生产出样片。本文首先介绍它的工作原理,并把它和EPROM,EEPROM比较,最后着重探讨其工艺实现过程。于是我们首先开发了一套1.0μm的EEPROM工艺,在此基础上,根据Flash Memory的结构和工艺特点,开发出一套0.8μm的工艺。

 

 

 


毕业设计材料目录

1.毕业实践任务书---------------------------------------------------------------
2.外文翻译-------------------------------------------------------------------------
3.毕业实践调研报告-----------------------------------------------------------
4.毕业设计说明书---------------------------------------------------------------
5.附录--------------------------------------------------------------------------------
6毕业设计总结-------------------------------------------------------------------
7.参考文献--------------------------------------------------------------------------


参考文献
1   EEPROM和 Flash Memory   于宗光著   中国电子学会第二届  青年学术论文集 46页
2   微电子技术  1996.4.   33页    20nm氧化层生长技术  倪立华著
3   超大规模集成电路技术   (美)  施敏 著   科学出版社
4   快闪存储器用户指南    Intel 公司   电子工业出版社

 

  • 关键词 0.8 m Flash Memory 工艺技术 研究
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