0.8μm Flash Memory工艺技术研究
随着时代的发展，信息的存储越来越为人们所关注。其中，非挥发性存储器是一种成功的信息存储单元，它们具有一个基本的特点，即：在移去电源后，它们所存储的数据不会丢失。这一特点使它们在各个领域得到广泛的应用。
最早的非挥发性存储器是ROM，即只读存储器。由于ROM缺乏灵活性，不能由用户根据需求自主输入数据，因此应用范围很窄。随后出现了由用户编程的PROM，初期的PROM只能编程一次，一般是由可熔断的电阻和晶体管串联而构成PROM单元。因为编程常需要修改，因此开发了可擦的多次编程ROM，称为EPROM。这种ROM单元是采用两层栅的浮栅MOS结构，由漏区热电子获得足够的能量，越过势垒进入浮栅。EPROM的缺点是不能进行在线擦除，还要用紫外光照源及在管壳上留出光照窗口，在使用和制造方面均不方便。后来进一步开发出通过电子隧道效应进行擦，写的EEPROM ，免除了紫外光照之不便，可以进行在线电擦电写，但它的单元结构较复杂，面积较大，不易做成很高的集成容量。
随着工艺技术的进步，小尺寸的单管单元的EEPROM被研制成功。由于擦除时靠其源区加高压进行全片擦除，因此被称为快闪存储器（FLASH MEMORY）。它是EPROM和EEPROM相结合的产物，因而具有了两者的优点，又克服了它们的缺点。它具有集成度高,成本低,价格合理,可进行在线电擦除等优点,广泛应用在:（1）个人计算机方面；（2）办公系统方面；（3）计算机辅助设计方面；（4）数字式照相机；（5）手提式录音机；（6）IC卡等。因而成为各存储器厂商竞相追逐的目标，但由于其工艺复杂，至今只有国外的Intel，Toshiba，Seeq，TI等大公司有能力生产。我国自从90年代中期开始对其研究，由于生产技术落后，至今未有厂家可独立生产此芯片。其中华晶中央研究所经几年的艰苦努力，已取得很大进展，预计明年可生产出样片。本文首先介绍它的工作原理，并把它和EPROM，EEPROM比较，最后着重探讨其工艺实现过程。于是我们首先开发了一套1.0μm的EEPROM工艺，在此基础上，根据Flash Memory的结构和工艺特点，开发出一套0.8μm的工艺。
毕业设计材料目录
1.毕业实践任务书---------------------------------------------------------------
2.外文翻译-------------------------------------------------------------------------
3.毕业实践调研报告-----------------------------------------------------------
4.毕业设计说明书---------------------------------------------------------------
5.附录--------------------------------------------------------------------------------
6毕业设计总结-------------------------------------------------------------------
7.参考文献--------------------------------------------------------------------------
参考文献
1 EEPROM和 Flash Memory 于宗光著 中国电子学会第二届 青年学术论文集 46页
2 微电子技术 1996.4. 33页 20nm氧化层生长技术 倪立华著
3 超大规模集成电路技术 (美) 施敏 著 科学出版社
4 快闪存储器用户指南 Intel 公司 电子工业出版社
