二极管的封装

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  • 适用:本科,大专,自考
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二极管的封装

二极管的封装
摘要: 本文介绍了二极管的多种形式封装结构及技术,针对封装材料在使用中的缺陷,综述了对环氧树脂的增韧、提高耐热性、改善透明性、改善加工性能的研究现状,并指出了其应用前景及国内外封装的差异性。
关键词:LED;二极管;二极管的封装。


LED是一类可直接将电能转化为可见光和辐射能的发光器件,具有工作电压低、耗电量小、发光效率高、发光响应时间极短、光色纯、结构牢固、抗冲击耐振动、性能稳定可靠、重量轻、体积小、成本低等一系列特性,发展突飞猛进,现已能批量生产整个可见光谱段各种颜色的高亮度、高性能产品。行业分析机CIR的研究报告预测,全球发光二极管的市场销售额将从2004年的32亿美元增至2008年的56亿美元。
CIR的报告称,在2004年到2008年,高亮度发光二极管(LED)或基于半导体的灯具的市场销售额将由16亿美元增至26.4亿美元;而超高亮度发光二极管将占类产品出货的大部分。但是,2008年,高亮度发光二极管和超高亮度发光二极管占发光二极管营收的绝大部分。国产红、绿、橙、黄的LED产量约占世界总量的l2%,“十五”期间的产业目标是达到年产300亿只的能力,实现超高亮度AIGaln的LED外延片和芯片的大生产,年产10亿只以上红、橙、黄超高亮度LED管芯,突破GaN材料的关键技术。实现蓝、绿、白的LED的中批量生产。据预测,到2008年国际上LED的市场需求量约为2000亿只,销售额达800亿美元。
在LED产业量中,上游是LED衬底晶片及衬底生产,中游的产业化为LED芯片设计及制造生产,下游归LED封装与测试。国内LED产业中有20余家上、中游研制及生产单位和150余家后道封装企业,高端封装产品还未见推向市场。目前,完成GaN基蓝绿光LED中游工艺技术产业化研究,力争在短期内使产品的性能指标达国外同时期同类产品的水平,开发白光照明光源用的功率型LED芯片等新产品。科技部将投入8000万元资金,启动国家半导体照明工程,注意终端产品,先从特种产品做起,以汽车、城市景观照明作为市场突破口,把大功率、高亮度LED放在突出位置,它的成果将要服务于北京奥运会和上海世博会。无庸质疑,产业链中的衬底、外延、芯片、封装、应用需共同发展,多方互动培植,封装是产业链中承上启下部分,需要关注与重视。研发低热阻、优异光学特性、高可靠的封装技术是新LED走向实用、走向市场的产业化必经之路,从某种意义上讲是链接产业与市场的扭带,只有封装好的才能成为终端产品,才能投入实际应用,才能为顾客提供服务,使产业链环环相扣,无缝畅通。

毕业设计说明书目录
1 引言                                                               1
2 二极管封装的特殊性                                                 1
3 产品封装结构类型                                                   2
4 各种封装                                                           3
4.1最简单的LED                                                  3
4.2引脚式封装                                                   5
4.3表面贴装封装                                                 6
4.4功率型封装                                                   6
4.5高功率发光二极管封装                                         8
4.5.1封装技术介绍                                               8
4.5.2 HB-LED封装工艺                                            9
4.5.2.1单芯片封装                                               9
4.5.2.2多芯片阵列                                               9
4.5.2.3电气连接                                                 9
5 二极管封装材料研究                                                 10
5.1研究反向                                                     10
5.1.1增韧                                                       10
5.1.2提高耐热性                                                 10
5.1.3改善透明性                                                 10
5.1.4改善加工性能                                               10
5.1.4.1提高固化速度                                             10
5.1.4.2降低固化温度                                             10
5.1.4.3脱模技术                                                 11
5.2各种材料                                                     11
5.2.1环氧树脂                                                   11
5.2.2环氧树脂胶粉                                               11
5.2.3含Sil基与芳烷基的MQ硅树脂作交联剂的苯基硅树脂封装料      11
5.2.3.1概述                                                     11
5.2.3.2封装料的配制                                             12
5.2.4含2官能硅氧烷链段的硅树脂封装料                           13
5.2.4.1概述                                                     13
5.2.4.2封装料的配制                                            13
5.2.5 LED透镜材料                                              14
6 二极管封装技术关键                                                 15
7 LED发展及应用前景                                                 16
8 中国LED封装技术与国外的差异                                       18
   8.1封装生产及测试设备差异                                        18
   8.2 LED芯片差异                                                  19
   8.3封装辅助材料差异                                              19
   8.4封装设计差异                                                  19
9 参考文献                                                           20

 

 

 

参考文献
[1]工业与信息产业部.LED显示屏通用规范.2007.
[2]工业与信息产业部.LED显示屏检测方法.2009.
[3]于涛.新型半导体照明技术手册.中国知识产权出版社.2009.4.
[4]Disaplaybank.LED Industry Outlook(2007—201 3).
[5]I.Bugeau,W.Conghlin llI,M.Priolo,G.St.Onge.Advanced MM IC T/R modulefor6tO l8GHzmultifunction arrays.1992 IEEE MTF-S Digest:81—84.
[6]John L.Bugean,K.M.Heitkamp,D.Kellerman.Aluninumsilicon carbide for high performance microwave packages.1995 IEEE MTF-S Digest-1575—1578.
[7]B.Dufour,M.Mcnulty,s.Microwave muld-chip moduleutilizing aluminum silicon carbide with in—situcastcomponents and high density interconnect technology.1997International Conference on multichip modules:309—3 14.
[8]M.K.PremKumar.Al/SiC for powder electronics packaging.1997 International symposium on advanced packagingmaterials: l62— 165.
[9]M.A.Occhionero,R.A.Hay,R.W.Adams,K.P.Fennessy.Cost-efective manufacturing of aluninum silicon carbide(AISiC)electronic packages.1 999 International symposiumon advan ced packaging material 118—124.
[10]熊德赣,刘希从,赵恂,卓钺.电子元件与材料.2003.22(22):l7—19
[11]熊德赣,赵钺,刘希从,白书欣.铝碳化硅复合材料及其构件的制备方法.ZL02139732.5
[12]毛志英,金属基复合材料浸渗凝固过程的研究.种铸造及有色金属.1992.5:1—3
 

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