铂扩散快恢复二极管的分析

铂扩散快恢复二极管的分析

铂扩散快恢复二极管的分析

  • 适用:本科,大专,自考
  • 更新时间2024年
  • 原价: ¥308
  • 活动价: ¥200 (活动截止日期:2024-05-03)
  • (到期后自动恢复原价)
铂扩散快恢复二极管的分析

铂扩散快恢复二极管的分析
摘要:近年来,随着电力电子技术的发展,快恢复二极管在开关电源等电路中得到越来越广泛的应用。在快恢复二极管的制造中,减小器件少子寿命,提高器件开关速度的方法是在器件内部引入复合中心。用铂扩散的方法来减少反向恢复时间trr,这无论从铂的能级理论上分析,还是从寿命理论上分析都有其可行性。另外,采用铂扩散工艺成本较低,适合大批量生产。本文从理论方面阐述了铂扩散控制少子寿命的可行性。本文对铂扩散快恢复二极管的各项参数特性以及测试原理进行了较为详细的介绍。
关键词:铂扩散快恢复二极管反向恢复时间trr   正向压降VF   漏电流IR


目录
1引言 1
2总体方案设计 1
2.1快恢复二极管概述 1
2.2铂扩散分析 5
3测试原理及方法 7
3.1反向恢复时间trr的测试原理及方法 7
3.2正向压降VF 8
3.3反向漏电流IR 9
3.4温度特性测试 9
3.5主要实验设备 10
4铂扩散二极管制备分析论证 12
4.1材料选择及结构设计 12
4.2样品制备 13
4.3关键工艺分析 13
4.4工艺因素的研究以及优化 15
5结果分析 21
5.1 VF-trr折衷性能分析 21
5.2 trr的温度特性 23
5.3 VF的温度特性 24
5.4 trr与高温反向漏电流的关系 25
5.5实验结论 26
6参考文献 27

参考文献
[1]让•玛里•皮特.功率晶体管和开关晶体管的应用技巧.北京:人民教育出版社,1991
[2]张清纯,张斌,王晓彬.新型大功率软恢复二极管:SIOD.半导体技术.1998
[3]Jan Vobecky.High-Power P-I-N Diode With the Local Lifetime Control Based onthe Proximity Gettering of Platinum.IEEE Electron Device Letter,2002
[4]马树魁,田敬民.具有阴极短路结构的快速软恢复整流管的研制.半导体技术.1998
[5]Y.Amemiya,T.Sugeta,Y.Mizushima.Novel Low-Loss and High-Speed DiodeUtilizing an“Ideal”Ohmic Contact,IEEE Trans.Electron Devices,1982
[6]张海涛,张斌.快速软恢复二极管的发展现状.世界电子元器件.2001
[7]V.S.Vasile Obreja.An Experimental Investigation on the Nature of Reverse Currentof Silicon Power PN Junctions.IEEE Transactions on Electron Devices,2002
[8]Y.Tomomatsu et al.An Analysis and Improvement of Destruction Immunity DuringReverse Recovery for High-voltage Planar Diodes Under High dIrr/dt Condition.Power Semiconductor Devices and ICs,1996
[9]B.J.Baliga,E.Sun,Comparison of Gold,Platinum,and Electron Irradiation forControlling Lifetime in Power Rectifiers,IEEE Trans.On Electron Devices,1977
[10]张海涛,张斌,王均平.采用缓冲结构的软恢复二极管研究.电力电子技术.2001

  • 关键词 扩散 恢复 二极管 分析
  • 上一篇:步进直流电压源
  • 下一篇:变频调速技术在某试验器燃油系统中的应用
  • 暂无购买记录

    暂时没有评论

    真实

    多重认证,精挑细选的优质资源 优质老师。

    安全

    诚实交易,诚信为本。

    保密

    所有交易信息,都为您保密。

    专业

    10年专业经验,10年来帮助无数学子。