0.5μm CMOS PCM版图设计及测试分析

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  • 适用:本科,大专,自考
  • 更新时间2021年
  • 原价: ¥293
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0.5μm CMOS PCM版图设计及测试分析

0.5μm CMOS PCM版图设计及测试分析
摘 要:PCM(Process Control Monitor)技术是一项用来全面监督和控制生产线工艺状况的质量监控技术,它可以实现对半导体集成电路设计与制造过程的在线控制,同时为建立器件参数模型提供测试结构和方法,为新材料、新工艺、新器件的研究提供技术支持。
关键词:PCM版图设计;PCM参数的回归模型;测试分析


毕业设计说明书目录

1引言 1
2 PCM测试简介 1
2.1作用 1
2.2种类 2
2.3 PCM测试设备的结构 2
3消除外界因素对PCM测试的影响 2
3.1光照对三极管Iceo的影响 2
3.2场效应管小电流测试注意的问题 3
3.2.1消除直流漏电流的措施 3
3.2.2消除杂散电容耦合干扰的措施 3
3.2.3消除传输线寄生电容充电干扰的措施 4
3.2.4消除交流噪声干扰 5
3.2.5消除公共阻抗造成的干扰 5
4主要检测结构及分析 5
4.1薄层电阻检测结构 6
4.1.1范得堡检测结构 6
4.1.2十字形体测结构 6
4.2金属-半导体接触电阻检测结构 7
4.2.1多接触面窗口平面电阻检测结构 7
4.2.2孔链检刚结构测试接触窗口电阻 8
4.3晶体管器件检测结构 9
4.3.1晶体管检测结构 9
4.3.2晶体管特性、参数测试对晶体管检测结构 9
4.4单极特性(二极管特性)检测结构 9
4.4.1集成二极管特性 9
4.4.2单极(PN)结特性 9
4.4.3衬底击穿效应检测结构 9
4.5层间电容、MOS电容检测结构 10
4.5.1栅电容(对CMOS电路而)言检测结构 10
4.5.2 N+、P+固定电容(Cn+、Cp+)质量检测结构 11
5 PCM测试方法的优化 11
5.1如何缩短延迟时间 11
5.2同步测量 11
5.3对测试采样信号类型的选取 11
5.4寻求最快速测试方式 12
5.4.1用扫描的方法 12
5.4.2单点测试的方法 13
5.5考虑测试头(探针台)的接触速度 13
5.6 PCM参数测试的合理顺序 14
5.6.1 BICMOS集成电路芯片测试顺序问题 14
5.6.2对IPCM测试中某NPN三极管Iceo参数 14
6 PCM 参数的多元回归模型及其应用 15
6.1 PCM参数 15
6.2 PCM参数的多元回归建模 15
6.3回归模型的应用 17
7 CMOS PCM的测试 18
7.1薄栅氧化层中的电荷及击穿机理 18
7.2击穿评价参数 18
7.3流片测试结果 20
7.4 0.5μm PCM测试结构 30
7.5 0.5μm PCM参数实测结果和规范 30
8小结 33

参考文献

【1】Chen Guanrong,Mao yaobin,Chui Charles K. A sym 2 metric image encryption scheme based on 3D chaotic catmaps[ J ].Chaos,Solitons and Fractals,2004,21 (3):749- 761.
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【3】王冬梅,黄琳,王金荣. 幻方变换加密数字全息图[ J ].浙江工业大学学报,2007,35 (1):116 – 118.
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【6】樊昌信,张甫.通信原理[M].北京:国防工业出版社,2006 :379 – 390.
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【8】Yamamo to A,Taji maM,U eda T,et al.Wave gen-eration circuit fo r reading rom data and generat ingw ave signals and flat matrix disp lay apparatus usingthe same circuit [P].US Patent:60521051.20002042181.
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